产品详情
应用： 通信；航空电子；制导；军事
电气特性：
描述 | 参数 |
振荡器输出 | |
| 名义频率 | 1.2~800MHz |
| 输出波形 | 正弦波、HCMOS、削波正弦波 |
信号（选项） | 正弦波 |
| 等级 | +0dBm 最小值 |
| 谐波抑制 | 最大-30dBc |
| 虚假抑制 | 最大-60dBc |
| 加载 | 50欧姆 |
信号（选项） | 高速互补金属氧化物半导体 |
| 输出高压 | VOH：最小2.4V |
| 输出低电压 | 电压：最大0.4V |
| 上升/下降时间（10%~90%） | 最大6纳秒 |
| 占空比 | 45%~55%@50% |
| 加载 | 15pF |
信号（选项） | 削波正弦波 |
| 峰峰值 | 最低0.8V |
| 加载 | 10千欧//10皮法 |
电源电压 | |
| 工作电压 | 3.3V±5%、5.0V±5%、12.0V±5% |
| 电流消耗 | 50mA 最大值@25℃ |
频率特性 | |
| 频率容差 | ±1.0ppm 最大值 @25℃±3℃ |
| 工作温度范围内的频率稳定性 | ±0.05ppm 最大值 @-40℃~+85℃ |
| ±0.1ppm 最大值 @-40℃~+85℃ | |
| ±0.28ppm 最大值，工作温度范围为-40℃至+85℃ | |
| ±0.1ppm 最大值 @-55℃~+85℃ | |
| 频率稳定性/电源电压 | ±0.05ppm @Vs±5% |
| 频率稳定性/负载 | ±0.05ppm @负载±5% |
| 每日老化容差 | 最大±0.02ppm |
| 老化耐受性 1年 | 最大±1.0ppm |
相位噪声 | |
| 相位噪声（典型值）10MHz@25℃ | 10赫兹：-95分贝/赫兹 |
| 100Hz：-120dBc/Hz | |
| 1kHz：-138dBc/Hz | |
| 10kHz：-145dBc/Hz | |
| 100kHz：-150dBc/Hz | |
频率调谐 | |
| 电压控制特性 | 控制电压范围 |
| 0V直流～5.0V直流（中心电压=2.5V直流）@Vs=5.0V直流与Vs=12.0V直流 | |
| 0V直流～3.3V直流（中心电压=1.65V直流）@Vs=3.3V直流与Vs=5.0V直流 | |
| 0.5V直流～2.5V直流（中心电压=1.5V直流）@Vs=3.3V直流 | |
| 斜率：正 | |
| 线性度：最大10% | |
| 调整范围：±8.0ppm 最小值 | |
| 输入阻抗：最小100kΩ | |
环境信息 | |
| 振动 | IEC 68-2-06 Fc试验，加速度10g，频率范围10–2000Hz，位移0.75mm。/严酷度等级500/10 |
| 震惊 | IEC 68-2-27试验Ea，半正弦波，100g，6ms，每方向3次；严酷度等级100A |
| 储存温度范围 | -55℃~+105℃ |
机械结构（毫米）
测试电路图
注：C1=0.1µF；C2=10µF；
削波正弦波：CL=10pF，RL=10kΩ；
正弦波：CL=NC，RL=50 Ω；
HCMOS：CL=15pF，RL =无；
波峰焊曲线（RoHS）
型号标识信息
M2013A系列
MCXO—例如：JTL-MRTAWD-10 .00MHz
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