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T1212A
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T1212A

体积小巧;功耗低;即刻可用;稳定性高

分类:

TCXO温补晶振



产品详情

应用: 通信;指导;军事 
 

电气特性:  

描述

参数

振荡器输出

名义频率1.2~800MHz
输出波形正弦波、HCMOS、削顶正弦波

信号(选项)

正弦波

等级+0dBm 最小值
谐波抑制-30dBc 最大值
虚假抑制-60dBc 最大值
加载50欧姆

信号(选项)

高速互补金属氧化物半导体

输出高压VOH:最小2.4V
输出低电压电压:最大0.4V
上升/下降时间(10%~90%)6纳秒 最大值
占空比45% ~55%@50%
加载15pF

信号(选项)

削波正弦波

峰峰值最低0.8V
加载10千欧//10皮法

电源电压

工作电压3.3V±5%、5.0V±5%
电流消耗50mA 最大值@25℃

频率特性

频率容差±1.0ppm 最大值 @25℃±3℃
频率 稳定性 在 工作温度范围内±0.28ppm 最大值,工作温度范围为-20℃至+70℃
±0.5ppm 最大值 @-40℃~+85℃
在-40℃~+85℃条件下,最大±1.0ppm
±2.0ppm 最大值 @-40℃~+85℃
频率稳定性/电源电压在Vs±5%时,最大值为±0.05ppm
频率稳定性/负载负载±5%时,最大±0.05ppm
每日老化容差最大±0.02ppm
老化耐受性 1年最大±1.0ppm

相位噪声

相位噪声(典型值)10Hz-95dBc/Hz
100Hz- 120dBc/Hz
1KHz- 138dBc/Hz
10KHz- 145dBc/Hz
100KHz- 150dBc/Hz

频率调谐

电压控制特性控制电压范围0V直流 ~3.3V直流(中心电压=1.65V直流)
0) Vdc ~3235VVddc(中心电压=1.5Vdc)
坡度积极的
线性度10% max
调整范围±8.0ppm 最小值
输入阻抗100千欧 最小值

环境信息

振动IEC 68-2-06试验Fc,加速度10g,频率范围10–2000Hz,位移0.75mm/严重度500/10
震惊IEC 68-2-27试验Ea,半正弦波,100g,6ms/每个方向3次,严酷度等级100A。
储存温度范围-55℃~+105℃


机械结构(毫米)

 

测试电路图

注:C1=0.1µF;C2=10µF; 
削波正弦波:CL=10pF,RL=10kΩ; 
正弦波:CL=NC,RL=50Ω; 
HCMOS:CL=15pF,RL =无;

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